Санкт-Петербург +7 (812) 670-44-19

Москва +7 (495) 789-49-78

H2 / H3 / H4 / H5
Фотоприемники на основе лавинных фотодиодов серий H2-H5

Производитель: Laser Components

Серии H2/H3/H4/H5 включают в себя кремниевые или InGaAs лавинные фотодиоды с оптимизированным малошумящим гибридным предусилителем для использования в лазерных дальномерах, лидарах, медицинских и аналитических сферах. Фотоприемники, установленные в 5-контактный корпус TO-46 или 6-контактный корпус TO-5, обеспечивают полосу пропускания до 700 МГц и имеют выход с общим заземлением.

В этих устройствах используются кремниевые лавинные фотодиоды SAR500, SAR1500 и SAT800 для использования с YAG-лазерами, обеспечивающие отличную чувствительность между 400 нм и 1100 нм и имеющие короткое время нарастания и спада на всех длинах волн. Для диапазона длин волн от 900 нм до 1700 нм рекомендуется использовать InGaAs лавинные фотодиоды IAG-серии.

Все фотоприемники на основе лавинных фотодиодов доступны с различным коэффициентом усиления/полосой пропускания.

Ключевые особенности фотоприемников серии H0:

  • Полоса пропускания от 10 кГц до 700 МГц;
  • Высокая чувствительность;
  • Сверхнизкий уровень шума;
  • Диапазон спектрального отклика от 400 до 1100 нм (Кремниевые фотодиоды);
  • Диапазон спектрального отклика от 900 до 1700 нм (InGaAs фотодиоды);
  • Герметичный корпус TO-46 или TO-5;
  • Рабочее напряжение усилителя: +/- 5 В.
Основные применения:

  • Дальнометрия / лидары;
  • Оптическая связь;
  • Лазерное сканирование;
  • Спектроскопия;
  • Флуоресценция;
  • Медицина.

Цена

По запросу

Для просмотра всех характеристик листайте влево

Наименование параметра

H2-серия

H3-серия

H4-серия

H5-серия 

Диапазон температур хранения

от -55 °C до 100 °C

Диапазон рабочих температур

от -40 °C до 85 °C

Температура спайки (15 секунд)

260 °C

Энергопотребление

80 мВт

150 мВт

150 мВт

82 мВт


Электрические характеристики при M = 100, Ta = 25 °C


Наименование параметра

SAR500H2

SAR500H3

SAR500H4

SAR500H5

Кремниевый лавинный фотодиод

SAR500

Диаметр активной области

0.5 мм

Спектральный диапазон

400 нм – 1000 нм

Пиковая чувствительность

905 нм

Ширина полосы пропускания

10 кГц – 100 МГц

10 кГц – 240 МГц

20 кГц – 470 МГц

20 кГц – 700 МГц

Напряжение питания - Vcc

3.3 В

5 В

3.3 В или 5 В

3.3 В

Ток питания

25 мА

30 мА

30 мА

25 мА

Чувствительность

540 нм

650 нм

905 нм

 

1.5 МВ/Вт

2.2 МВ/Вт

2.7 МВ/Вт

 

0.54 МВ/Вт

0.8 МВ/Вт

1 МВ/Вт

 

0.22 МВ/Вт

0.32 МВ/Вт

0.4 МВ/Вт

 

0.12 МВ/Вт

0.18 МВ/Вт

0.22 МВ/Вт

Эквивалентная мощность шума NEP

540 нм

650 нм

905 нм


70 фВт/Гц1/2

45 фВт/Гц1/2

40 фВт/Гц1/2


75 фВт/Гц1/2

50 фВт/Гц1/2

40 фВт/Гц1/2


230 фВт/Гц1/2

160 фВт/Гц1/2

125 фВт/Гц1/2


420 фВт/Гц1/2

290 фВт/Гц1/2

230 фВт/Гц1/2

Плотность выходного шума

100 нВ/Гц1/2

40 нВ/Гц1/2

50 нВ/Гц1/2

50 нВ/Гц1/2

Приведенная плотность входного шума

2 пА/Гц1/2

2 пА/Гц1/2

7 пА/Гц1/2

11 пА/Гц1/2


Электрические характеристики при M = 100, Ta = 25 °C


Наименование параметра

SAR1500H2

SAR1500H3

SAR1500H4

SAR1500H5

Кремниевый лавинный фотодиод

SAR1500

Диаметр

1.5 мм

Спектральный диапазон

400 нм – 1000 нм

Пиковая чувствительность

905 нм

Ширина полосы пропускания

10 кГц – 100 МГц

10 кГц – 240 МГц

20 кГц – 470 МГц

20 кГц – 700 МГц

Напряжение питания - Vcc

3.3 В

5 В

3.3 В или 5 В

3.3 В

Ток питания

25 мА

30 мА

30 мА

25 мА

Чувствительность

540 нм

650 нм

905 нм


1.5 МВ/Вт

2.2 МВ/Вт

2.7 МВ/Вт


0.54 МВ/Вт

0.8 МВ/Вт

1 МВ/Вт


0.22 МВ/Вт

0.32 МВ/Вт

0.4 МВ/Вт


0.12 МВ/Вт

0.18 МВ/Вт

0.22 МВ/Вт

Эквивалентная мощность шума NEP

540 нм

650 нм

905 нм


140 фВт/Гц

90 фВт/Гц

80 фВт/Гц


150 фВт/Гц

100 фВт/Гц

80 фВт/Гц


230 фВт/Гц

160 фВт/Гц

125 фВт/Гц


840 фВт/Гц

580 фВт/Гц

460 фВт/Гц

Плотность выходного шума

200 нВ/Гц1/2

80 нВ/Гц1/2

50 нВ/Гц1/2

1000 нВ/Гц1/2

Приведенная плотность входного шума

4 пА/Гц1/2

4 пА/Гц1/2

7 пА/Гц1/2

22 пА/Гц1/2


Электрические характеристики при M = 100, Ta = 25 °C

Наименование параметра

SAT800H2

SAT800H3

SAT800H4

SAT800H5

Кремниевый лавинный фотодиод

SAT800

Диаметр

0.8 мм

Спектральный диапазон

700 нм – 1100 нм

Пиковая чувствительность

940 нм

Ширина полосы пропускания

10 кГц – 100 МГц

10 кГц – 240 МГц

20 кГц – 470 МГц

20 кГц – 700 МГц

Напряжение питания - Vcc

3.3 В

5 В

3.3 В или 5 В

3.3 В

Ток питания

25 мА

30 мА

30 мА

25 мА

Чувствительность

540 нм

650 нм

905 нм


1.5 МВ/Вт

2.2 МВ/Вт

2.7 МВ/Вт


0.54 МВ/Вт

0.8 МВ/Вт

1 МВ/Вт


0.22 МВ/Вт

0.32 МВ/Вт

0.4 МВ/Вт


0.12 МВ/Вт

0.18 МВ/Вт

0.22 МВ/Вт

Эквивалентная мощность шума NEP

540 нм

650 нм

905 нм


70 фВт/Гц

45 фВт/Гц

40 фВт/Гц


75 фВт/Гц

50 фВт/Гц

40 фВт/Гц


230 фВт/Гц

160 фВт/Гц

125 фВт/Гц


420 фВт/Гц

290 фВт/Гц

230 фВт/Гц

Плотность выходного шума

100 нВ/Гц1/2

40 нВ/Гц1/2

50 нВ/Гц1/2

50 нВ/Гц1/2

Приведенная плотность входного шума

2 пА/Гц1/2

2 пА/Гц1/2

7 пА/Гц1/2

11 пА/Гц1/2


Электрические характеристики при M = 10, Ta = 25 °C

Наименование параметра

IAG080H2

IAG080H3

IAG080H4

IAG080H5

InGaAs лавинный фотодиод

IAG080

Диаметр

80 мкм

Спектральный диапазон

900 нм – 1700 нм

Пиковая чувствительность

1550 нм

Ширина полосы пропускания

10 кГц – 100 МГц

10 кГц – 240 МГц

20 кГц – 470 МГц

20 кГц – 700 МГц

Напряжение питания - Vcc

3.3 В

5 В

3.3 В или 5 В

3.3 В

Ток питания

25 мА

30 мА

30 мА

25 мА

Чувствительность

1550 нм

0.5 МВ/Вт

0.19 МВ/Вт

0.075 МВ/Вт

0.042 МВ/Вт

Эквивалентная мощность шума NEP

1550 нм

0.25 пВт/Гц1/2

0.3 пВт/Гц1/2

0.7 пВт/Гц1/2

1.2 пВт/Гц1/2

Плотность выходного шума

100 нВ/Гц1/2

50 нВ/Гц1/2

50 нВ/Гц1/2

50 нВ/Гц1/2

Приведенная плотность входного шума

2 пА/Гц1/2

3 пА/Гц1/2

7 пА/Гц1/2

12 пА/Гц1/2


Электрические характеристики при M = 10, Ta = 25 °C

Наименование параметра

IAG200H2

IAG200H3

IAG200H4

IAG200H5

InGaAs лавинный фотодиод

IAG200

Диаметр

200 мкм

Спектральный диапазон

900 нм – 1700 нм

Пиковая чувствительность

1550 нм

Ширина полосы пропускания

10 кГц – 100 МГц

10 кГц – 240 МГц

20 кГц – 470 МГц

20 кГц – 700 МГц

Напряжение питания - Vcc

3.3 В

5 В

3.3 В или 5 В

3.3 В

Ток питания

25 мА

30 мА

30 мА

25 мА

Чувствительность

1550 нм

0.5 МВ/Вт

0.19 МВ/Вт

0.075 МВ/Вт

0.042 МВ/Вт

Эквивалентная мощность шума NEP

1550 нм

0.25 пВт/Гц1/2

0.3 пВт/Гц1/2

0.7 пВт/Гц1/2

1.2 пВт/Гц1/2

Плотность выходного шума

100 нВ/Гц1/2

50 нВ/Гц1/2

50 нВ/Гц1/2

50 нВ/Гц1/2

Приведенная плотность входного шума

2 пА/Гц1/2

3 пА/Гц1/2

7 пА/Гц1/2

12 пА/Гц1/2


Электрические характеристики при M = 10, Ta = 25 °C

Наименование параметра

IAG350H2

IAG350H3

IAG350H4

IAG350H5

InGaAs лавинный фотодиод

IAG350

Диаметр

350 мкм

Спектральный диапазон

900 нм – 1700 нм

Пиковая чувствительность

1550 нм

Ширина полосы пропускания

10 кГц – 100 МГц

10 кГц – 240 МГц

20 кГц – 470 МГц

20 кГц – 700 МГц

Напряжение питания - Vcc

3.3 В

5 В

3.3 В или 5 В

3.3 В

Ток питания

25 мА

30 мА

30 мА

25 мА

Чувствительность

1550 нм

0.5 МВ/Вт

0.19 МВ/Вт

0.075 МВ/Вт

      0.042 МВ/Вт

Эквивалентная мощность шума NEP

1550 нм

0.4 пВт/Гц1/2

0.7 пВт/Гц1/2

1 пВт/Гц1/2

1.8 пВт/Гц1/2

Плотность выходного шума

200 нВ/Гц1/2

120 нВ/Гц1/2

75 нВ/Гц1/2

75 нВ/Гц1/2

Приведенная плотность входного шума

4 пА/Гц1/2

6 пА/Гц1/2

10 пА/Гц1/2

17 пА/Гц1/2


Обозначение артикульного номера для заказа

Аксессуары