Компактные источники питания высокого напряжения DC/DC серии dBC
Источники питания для эксплуатации лавинных фотодиодов до 380 В
Производитель: Laser Components
Серии H2/H3/H4/H5 включают в себя кремниевые или InGaAs лавинные фотодиоды с оптимизированным малошумящим гибридным предусилителем для использования в лазерных дальномерах, лидарах, медицинских и аналитических сферах. Фотоприемники, установленные в 5-контактный корпус TO-46 или 6-контактный корпус TO-5, обеспечивают полосу пропускания до 700 МГц и имеют выход с общим заземлением.
В этих устройствах используются кремниевые лавинные фотодиоды SAR500, SAR1500 и SAT800 для использования с YAG-лазерами, обеспечивающие отличную чувствительность между 400 нм и 1100 нм и имеющие короткое время нарастания и спада на всех длинах волн. Для диапазона длин волн от 900 нм до 1700 нм рекомендуется использовать InGaAs лавинные фотодиоды IAG-серии.
Все фотоприемники на основе лавинных фотодиодов доступны с различным коэффициентом усиления/полосой пропускания.
Ключевые особенности фотоприемников серии H0:
По запросу
Наименование параметра |
H2-серия |
H3-серия |
H4-серия
|
H5-серия |
Диапазон температур хранения |
от -55 °C до 100 °C |
|||
Диапазон рабочих температур |
от -40 °C до 85 °C |
|||
Температура спайки (15 секунд) |
260 °C |
|||
Энергопотребление |
80 мВт |
150 мВт |
150 мВт |
82 мВт |
Электрические характеристики при M = 100, Ta = 25 °C
Наименование параметра |
SAR500H2 |
SAR500H3 |
SAR500H4 |
SAR500H5 |
Кремниевый лавинный фотодиод |
SAR500 |
|||
Диаметр активной области |
0.5 мм |
|||
Спектральный диапазон |
400 нм – 1000 нм |
|||
Пиковая чувствительность |
905 нм |
|||
Ширина полосы пропускания |
10 кГц – 100 МГц |
10 кГц – 240 МГц |
20 кГц – 470 МГц |
20 кГц – 700 МГц |
Напряжение питания - Vcc |
3.3 В |
5 В |
3.3 В или 5 В |
3.3 В |
Ток питания |
25 мА |
30 мА |
30 мА |
25 мА |
Чувствительность 540 нм 650 нм 905 нм |
1.5 МВ/Вт 2.2 МВ/Вт 2.7 МВ/Вт |
0.54 МВ/Вт 0.8 МВ/Вт 1 МВ/Вт |
0.22 МВ/Вт 0.32 МВ/Вт 0.4 МВ/Вт |
0.12 МВ/Вт 0.18 МВ/Вт 0.22 МВ/Вт |
Эквивалентная мощность шума NEP 540 нм 650 нм 905 нм |
70 фВт/Гц1/2 45 фВт/Гц1/2 40 фВт/Гц1/2 |
75 фВт/Гц1/2 50 фВт/Гц1/2 40 фВт/Гц1/2 |
230 фВт/Гц1/2 160 фВт/Гц1/2 125 фВт/Гц1/2 |
420 фВт/Гц1/2 290 фВт/Гц1/2 230 фВт/Гц1/2 |
Плотность выходного шума |
100 нВ/Гц1/2 |
40 нВ/Гц1/2 |
50 нВ/Гц1/2 |
50 нВ/Гц1/2 |
Приведенная плотность входного шума |
2 пА/Гц1/2 |
2 пА/Гц1/2 |
7 пА/Гц1/2 |
11 пА/Гц1/2 |
Электрические характеристики при M = 100, Ta = 25 °C
Наименование параметра |
SAR1500H2 |
SAR1500H3 |
SAR1500H4 |
SAR1500H5 |
Кремниевый лавинный фотодиод |
SAR1500 |
|||
Диаметр |
1.5 мм |
|||
Спектральный диапазон |
400 нм – 1000 нм |
|||
Пиковая чувствительность |
905 нм |
|||
Ширина полосы пропускания |
10 кГц – 100 МГц |
10 кГц – 240 МГц |
20 кГц – 470 МГц |
20 кГц – 700 МГц |
Напряжение питания - Vcc |
3.3 В |
5 В |
3.3 В или 5 В |
3.3 В |
Ток питания |
25 мА |
30 мА |
30 мА |
25 мА |
Чувствительность 540 нм 650 нм 905 нм |
1.5 МВ/Вт 2.2 МВ/Вт 2.7 МВ/Вт |
0.54 МВ/Вт 0.8 МВ/Вт 1 МВ/Вт |
0.22 МВ/Вт 0.32 МВ/Вт 0.4 МВ/Вт |
0.12 МВ/Вт 0.18 МВ/Вт 0.22 МВ/Вт |
Эквивалентная мощность шума NEP 540 нм 650 нм 905 нм |
140 фВт/Гц 90 фВт/Гц 80 фВт/Гц |
150 фВт/Гц 100 фВт/Гц 80 фВт/Гц |
230 фВт/Гц 160 фВт/Гц 125 фВт/Гц |
840 фВт/Гц 580 фВт/Гц 460 фВт/Гц |
Плотность выходного шума |
200 нВ/Гц1/2 |
80 нВ/Гц1/2 |
50 нВ/Гц1/2 |
1000 нВ/Гц1/2 |
Приведенная плотность входного шума |
4 пА/Гц1/2 |
4 пА/Гц1/2 |
7 пА/Гц1/2 |
22 пА/Гц1/2 |
Наименование параметра |
SAT800H2 |
SAT800H3 |
SAT800H4 |
SAT800H5 |
Кремниевый лавинный фотодиод |
SAT800 |
|||
Диаметр |
0.8 мм |
|||
Спектральный диапазон |
700 нм – 1100 нм |
|||
Пиковая чувствительность |
940 нм |
|||
Ширина полосы пропускания |
10 кГц – 100 МГц |
10 кГц – 240 МГц |
20 кГц – 470 МГц |
20 кГц – 700 МГц |
Напряжение питания - Vcc |
3.3 В |
5 В |
3.3 В или 5 В |
3.3 В |
Ток питания |
25 мА |
30 мА |
30 мА |
25 мА |
Чувствительность 540 нм 650 нм 905 нм |
1.5 МВ/Вт 2.2 МВ/Вт 2.7 МВ/Вт |
0.54 МВ/Вт 0.8 МВ/Вт 1 МВ/Вт |
0.22 МВ/Вт 0.32 МВ/Вт 0.4 МВ/Вт |
0.12 МВ/Вт 0.18 МВ/Вт 0.22 МВ/Вт |
Эквивалентная мощность шума NEP 540 нм 650 нм 905 нм |
70 фВт/Гц 45 фВт/Гц 40 фВт/Гц |
75 фВт/Гц 50 фВт/Гц 40 фВт/Гц |
230 фВт/Гц 160 фВт/Гц 125 фВт/Гц |
420 фВт/Гц 290 фВт/Гц 230 фВт/Гц |
Плотность выходного шума |
100 нВ/Гц1/2 |
40 нВ/Гц1/2 |
50 нВ/Гц1/2 |
50 нВ/Гц1/2 |
Приведенная плотность входного шума |
2 пА/Гц1/2 |
2 пА/Гц1/2 |
7 пА/Гц1/2 |
11 пА/Гц1/2 |
Электрические характеристики при M = 10, Ta = 25 °C
Наименование параметра |
IAG080H2 |
IAG080H3 |
IAG080H4 |
IAG080H5 |
InGaAs лавинный фотодиод |
IAG080 |
|||
Диаметр |
80 мкм |
|||
Спектральный диапазон |
900 нм – 1700 нм |
|||
Пиковая чувствительность |
1550 нм |
|||
Ширина полосы пропускания |
10 кГц – 100 МГц |
10 кГц – 240 МГц |
20 кГц – 470 МГц |
20 кГц – 700 МГц |
Напряжение питания - Vcc |
3.3 В |
5 В |
3.3 В или 5 В |
3.3 В |
Ток питания |
25 мА |
30 мА |
30 мА |
25 мА |
Чувствительность 1550 нм |
0.5 МВ/Вт |
0.19 МВ/Вт |
0.075 МВ/Вт |
0.042 МВ/Вт |
Эквивалентная мощность шума NEP 1550 нм |
0.25 пВт/Гц1/2 |
0.3 пВт/Гц1/2 |
0.7 пВт/Гц1/2 |
1.2 пВт/Гц1/2 |
Плотность выходного шума |
100 нВ/Гц1/2 |
50 нВ/Гц1/2 |
50 нВ/Гц1/2 |
50 нВ/Гц1/2 |
Приведенная плотность входного шума |
2 пА/Гц1/2 |
3 пА/Гц1/2 |
7 пА/Гц1/2 |
12 пА/Гц1/2 |
Наименование параметра |
IAG200H2 |
IAG200H3 |
IAG200H4 |
IAG200H5 |
InGaAs лавинный фотодиод |
IAG200 |
|||
Диаметр |
200 мкм |
|||
Спектральный диапазон |
900 нм – 1700 нм |
|||
Пиковая чувствительность |
1550 нм |
|||
Ширина полосы пропускания |
10 кГц – 100 МГц |
10 кГц – 240 МГц |
20 кГц – 470 МГц |
20 кГц – 700 МГц |
Напряжение питания - Vcc |
3.3 В |
5 В |
3.3 В или 5 В |
3.3 В |
Ток питания |
25 мА |
30 мА |
30 мА |
25 мА |
Чувствительность 1550 нм |
0.5 МВ/Вт |
0.19 МВ/Вт |
0.075 МВ/Вт |
0.042 МВ/Вт |
Эквивалентная мощность шума NEP 1550 нм |
0.25 пВт/Гц1/2 |
0.3 пВт/Гц1/2 |
0.7 пВт/Гц1/2 |
1.2 пВт/Гц1/2 |
Плотность выходного шума |
100 нВ/Гц1/2 |
50 нВ/Гц1/2 |
50 нВ/Гц1/2 |
50 нВ/Гц1/2 |
Приведенная плотность входного шума |
2 пА/Гц1/2 |
3 пА/Гц1/2 |
7 пА/Гц1/2 |
12 пА/Гц1/2 |
Наименование параметра |
IAG350H2 |
IAG350H3 |
IAG350H4 |
IAG350H5 |
InGaAs лавинный фотодиод |
IAG350 |
|||
Диаметр |
350 мкм |
|||
Спектральный диапазон |
900 нм – 1700 нм |
|||
Пиковая чувствительность |
1550 нм |
|||
Ширина полосы пропускания |
10 кГц – 100 МГц |
10 кГц – 240 МГц |
20 кГц – 470 МГц |
20 кГц – 700 МГц |
Напряжение питания - Vcc |
3.3 В |
5 В |
3.3 В или 5 В |
3.3 В |
Ток питания |
25 мА |
30 мА |
30 мА |
25 мА |
Чувствительность 1550 нм |
0.5 МВ/Вт |
0.19 МВ/Вт |
0.075 МВ/Вт |
0.042 МВ/Вт |
Эквивалентная мощность шума NEP 1550 нм |
0.4 пВт/Гц1/2 |
0.7 пВт/Гц1/2 |
1 пВт/Гц1/2 |
1.8 пВт/Гц1/2 |
Плотность выходного шума |
200 нВ/Гц1/2 |
120 нВ/Гц1/2 |
75 нВ/Гц1/2 |
75 нВ/Гц1/2 |
Приведенная плотность входного шума |
4 пА/Гц1/2 |
6 пА/Гц1/2 |
10 пА/Гц1/2 |
17 пА/Гц1/2 |
Для просмотра и загрузки файлов необходимо зарегистрироваться или войти
Вы положили товар в корзину
0.00 ₽
Обратная связь
Отправка запроса
Спасибо!
Мы свяжемся с вами