H1
Фотоприемники на основе лавинных фотодиодов серии H1

Производитель: Laser Components

Серия H1 включает в себя кремниевые или InGaAs лавинные фотодиоды с оптимизированным малошумящим гибридным предусилителем для использования в лазерных дальномерах, лидарах, медицинских и аналитических сферах. Фотоприемники, установленные в модифицированный 12-контактный корпус TO-8, обеспечивают полосу пропускания до 25 МГц и имеют выход с общим заземлением.

В этих устройствах используются кремниевые лавинные фотодиоды SAR500, SAR1500, SAR3000 и SAT800 для использования с YAG-лазерами, обеспечивающее отличную чувствительность между 400 нм и 1100 нм и имеющие короткое время нарастания и спада на всех длинах волн. Для диапазона длин волн от 900 нм до 1700 нм рекомендуется использовать InGaAs лавинные фотодиоды IAG-серии.

Все фотоприемники на основе лавинных фотодиодов доступны с различным коэффициентом усиления/полосой пропускания.

Ключевые особенности фотоприемников серии H0:

Полоса пропускания при постоянном токе - 25 МГц;
Высокая чувствительность;
Сверхнизкий уровень шума;
Диапазон спектрального отклика от 400 до 1100 нм (Кремниевые фотодиоды);
Диапазон спектрального отклика от 900 до 1700 нм (InGaAs фотодиоды);
Герметичный корпус TO-8;
Рабочее напряжение усилителя: +/- 5 В.

Основные применения:

Дальнометрия / лидары;
Оптическая связь;
Лазерное сканирование;
Спектроскопия;
Флуоресценция;
Медицина.

Цена

По запросу

Для просмотра всех характеристик листайте влево

Общие характеристики

Наименование параметра	H1-серия
Диапазон температур хранения	от -55 °C до 100 °C
Диапазон рабочих температур	от -40 °C до 85 °C
Напряжение питания трансимпедансного усилителя	от +/- 4 В до +/- 6.5 В Среднее значение: +/- 5 В
Ток питания трансимпедансного усилителя	30 мА
Энергопотребление	300 мВт
Температура спайки (15 секунд)	260 °C

Электрические характеристики при M = 100, Ta = 25 °C

Наименование параметра	SAR500H1A	SAR500H1B	SAR500H1C	SAR500H1D
Кремниевый лавинный фотодиод	SAR500
Диаметр активной области	0.5 мм
Спектральный диапазон	400 нм – 1000 нм
Пиковая чувствительность	905 нм
Ширина полосы пропускания	Постоянный ток – 25 МГц	Постоянный ток – 10 МГц	Постоянный ток – 3 МГц	Постоянный ток – 1 Мгц
Чувствительность 540 нм 650 нм 905 нм	0.27 МВ/Вт 0.4 МВ/Вт 0.5 МВ/Вт	2.7 МВ/Вт 4 МВ/Вт 5 МВ/Вт	27 МВ/Вт 40 МВ/Вт 50 МВ/Вт	270 МВ/Вт 400 МВ/Вт 500 МВ/Вт
Эквивалентная мощность шума NEP 540 нм 650 нм 905 нм	150 фВт/Гц^1/2 100 фВт/Гц^1/2 80 фВт/Гц^1/2	55 фВт/Гц^1/2 37.5 фВт/Гц^1/2 30 фВт/Гц^1/2	11 фВт/Гц^1/2 7.5 фВт/Гц^1/2 6 фВт/Гц^1/2	11 фВт/Гц^1/2 7.5 фВт/Гц^1/2 6 фВт/Гц^1/2
Плотность выходного шума	40 нВ/Гц^1/2	150 нВ/Гц^1/2	300 нВ/Гц^1/2	3000 нВ/Гц^1/2
Приведенная плотность входного шума	4 пА/Гц^1/2	1.5 пА/Гц^1/2	0.3 пА/Гц^1/2	0.3 пА/Гц^1/2
Колебание выходного напряжения (1 МОм)	3 В
Колебание выходного напряжения (50 Ом)	1.5 В
Выходное напряжение смещения	50 мВ

Электрические характеристики при M = 100, Ta = 25 °C

Наименование параметра	SAR1500H1A	SAR1500H1B	SAR1500H1C	SAR1500H1D
Кремниевый лавинный фотодиод	SAR1500
Диаметр	1.5 мм
Спектральный диапазон	400 нм – 1000 нм
Пиковая чувствительность	905 нм
Ширина полосы пропускания	Постоянный ток – 25 МГц	Постоянный ток – 10 МГц	Постоянный ток – 3 МГц	Постоянный ток – 1 МГц
Чувствительность 540 нм 650 нм 905 нм	0.27 МВ/Вт 0.4 МВ/Вт 0.5 МВ/Вт	2.7 МВ/Вт 4 МВ/Вт 5 МВ/Вт	27 МВ/Вт 40 МВ/Вт 50 МВ/Вт	270 МВ/Вт 400 МВ/Вт 500 МВ/Вт
Эквивалентная мощность шума NEP 540 нм 650 нм 905 нм	150 фВт/Гц 100 фВт/Гц 80 фВт/Гц	55 фВт/Гц 37.5 фВт/Гц 30 фВт/Гц	37 фВт/Гц 25 фВт/Гц 20 фВт/Гц	11 фВт/Гц 7.5 фВт/Гц 6 фВт/Гц
Плотность выходного шума	40 нВ/Гц^1/2	150 нВ/Гц^1/2	1000 нВ/Гц^1/2	3000 нВ/Гц^1/2
Приведенная плотность входного шума	4 пА/Гц^1/2	1.5 пА/Гц^1/2	1 пА/Гц^1/2	0.3 пА/Гц^1/2
Колебание выходного напряжения (1 МОм)	3 В
Колебание выходного напряжения (50 Ом)	1.5 В
Выходное напряжение смещения	0.1 мВ

Электрические характеристики при M = 100, Ta = 25 °C

Наименование параметра	SAR3000H1A	SAR3000H1B	SAR3000H1C	SAR3000H1D
Кремниевый лавинный фотодиод	SAR3000
Диаметр	3 мм
Спектральный диапазон	400 нм – 1000 нм
Пиковая чувствительность	905 нм
Ширина полосы пропускания	Постоянный ток – 25 МГц	Постоянный ток – 10 МГц	Постоянный ток – 3 МГц	Постоянный ток – 1 МГц
Чувствительность 540 нм 650 нм 905 нм	0.27 МВ/Вт 0.4 МВ/Вт 0.5 МВ/Вт	2.7 МВ/Вт 4 МВ/Вт 5 МВ/Вт	27 МВ/Вт 40 МВ/Вт 50 МВ/Вт	270 МВ/Вт 400 МВ/Вт 500 МВ/Вт
Эквивалентная мощность шума NEP 540 нм 650 нм 905 нм	225 фВт/Гц 150 фВт/Гц 120 фВт/Гц	55 фВт/Гц 38 фВт/Гц 30 фВт/Гц	37 фВт/Гц 25 фВт/Гц 20 фВт/Гц	15 фВт/Гц 11 фВт/Гц 9 пВт/Гц
Плотность выходного шума	60 нВ/Гц^1/2	150 нВ/Гц^1/2	1000 нВ/Гц^1/2	4000 нВ/Гц^1/2
Приведенная плотность входного шума	6 пА/Гц^1/2	1.5 пА/Гц^1/2	1 пА/Гц^1/2	0.4 пА/Гц^1/2
Колебание выходного напряжения (1 МОм)	3 В
Колебание выходного напряжения (50 Ом)	1.5 В
Выходное напряжение смещения	0.1 мВ

Электрические характеристики при M = 100, Ta = 25 °C

Наименование параметра	SAT800H1A	SAT800H1B	SAT800H1C	SAT800H1D
Кремниевый лавинный фотодиод	SAT800
Диаметр	0.8 мм
Спектральный диапазон	700 нм – 1100 нм
Пиковая чувствительность	940 нм
Ширина полосы пропускания	Постоянный ток – 25 МГц	Постоянный ток – 10 МГц	Постоянный ток – 3 МГц	Постоянный ток – 1 МГц
Чувствительность 540 нм 650 нм 905 нм	0.27 МВ/Вт 0.4 МВ/Вт 0.5 МВ/Вт	2.7 МВ/Вт 4 МВ/Вт 5 МВ/Вт	27 МВ/Вт 40 МВ/Вт 50 МВ/Вт	270 МВ/Вт 400 МВ/Вт 500 МВ/Вт
Эквивалентная мощность шума NEP 540 нм 650 нм 905 нм	150 фВт/Гц 100 фВт/Гц 80 фВт/Гц	55 фВт/Гц 38 фВт/Гц 30 фВт/Гц	11 фВт/Гц 7.5 фВт/Гц 6 фВт/Гц	11 фВт/Гц 7.5 фВт/Гц 6 пВт/Гц
Плотность выходного шума	40 нВ/Гц^1/2	150 нВ/Гц^1/2	300 нВ/Гц^1/2	3000 нВ/Гц^1/2
Приведенная плотность входного шума	4 пА/Гц^1/2	1.5 пА/Гц^1/2	0.3 пА/Гц^1/2	0.3 пА/Гц^1/2

Электрические характеристики при M = 10, Ta = 25 °C

Наименование параметра	IAGXXXH1A	IAGXXXH1B	IAGXXXH1C	IAGXXXH1D
InGaAs лавинный фотодиод	IAG-серия
Диаметр	80/200/350 мкм
Спектральный диапазон	900 нм – 1700 нм
Пиковая чувствительность	1550 нм
Ширина полосы пропускания	Постоянный ток – 25 МГц	Постоянный ток – 10 МГц	Постоянный ток – 3 МГц	Постоянный ток – 1 МГц
Чувствительность 1550 нм	0.094 МВ/Вт	0.94 МВ/Вт	9.4 МВ/Вт	94 МВ/Вт
Эквивалентная мощность шума NEP 1550 нм	425 фВт/Гц^1/2	160 фВт/Гц^1/2	64 фВт/Гц^1/2	32 фВт/Гц^1/2
Плотность выходного шума	40 нВ/Гц^1/2	150 нВ/Гц^1/2	600 нВ/Гц^1/2	3000 нВ/Гц^1/2
Приведенная плотность входного шума	4 пА/Гц^1/2	1.5 пА/Гц^1/2	0.6 пА/Гц^1/2	0.3 пА/Гц^1/2