IA35
InAs фотодиоды серии IA35

Производитель: Laser Components

Серия IA35 представляет собой гетероструктурный фотодиоды, установленные на InAs подложку с номинальной длиной волны отсечки 3,5 мкм.

Ключевые особенности фотодиодов серии IA35:

Основные применения:

Цена

По запросу

Для просмотра всех характеристик листайте влево

Общие характеристики

Наименование параметра	Серия IA
Диапазон температур хранения	от -55°C до 80°C
Диапазон рабочих температур	от -40°C до 60°C
Обратное смещение	1 В
Прямой ток	1 мА
Температура спайки	260 °C
Порог повреждения от электростатического разряда, класс модели человеческого тела 1А Минимальное значение Среднее значение	0 В 250 В
Напряжение системы охлаждения Т7 Т9	0.8 В 3.7 В
Ток системы охлаждения Т7 Т9	1.9 А 1.2 А

Оптические характеристики при 25°C

Наименование параметра	IA35S500S4i
Диаметр	500 мкм
Длина волны отсечки 20%	3.5 мкм
Пиковая длина волны	2.8 мкм
Пиковая чувствительность Минимальное значение Среднее значение	0.95 А/Вт 1.08 А/Вт
Чувствительность на 900 нм Среднее значение	0.1 А/Вт
Чувствительность на 2800 нм Минимальное значение Среднее значение	0.95 А/Вт 1.05 А/Вт
Чувствительность на 3200 нм Среднее значение	0.9 А/Вт

Электрооптические характеристики при 25 °C

Наименование параметра	IA35S500S4i
Диаметр	500 мкм
Сопротивление шунта при Vr = 10 мВ Минимальное значение Среднее значение	450 Ом 700 Ом
Темновой ток при Vr = 0.1 В Среднее значение Максимальное значение	0.15 мА 1 мА
Дельта пик Среднее значение	1 x 10¹⁰см x Гц^1/2/Вт
Пиковая эквивалентная мощность шума Среднее значение	6 x 10^-12 Вт/Гц^1/2
Емкость Среднее значение	1000 пФ

Файлы

Для просмотра и загрузки файлов необходимо зарегистрироваться или войти