Лазерный диод с распределенной обратной связью Nanoplus

Производитель: Nanoplus

Уже более 20 лет компания Nanoplus является технологическим лидером в области сверхточных лазерных диодов с распределенной обратной связью. Они используются для обнаружения газов. Лазеры nanoplus надежно работают более чем в 30 000 установках по всему миру.

Область применения включает: электростанции, газопроводы, системы контроля выбросов, бортовые и спутниковые приложения.

Nanoplus использует уникальную запатентованную технологию производства лазерных диодов с распределенной обратной связью. Металлическая решетка вдоль ребристого волновода обеспечивает одномодовое излучение с превосходными оптическими свойствами.

Ключевые особенности:

Одномодовое излучение;
Непрерывный режим;
Перестройка по длине волны;
Длины волн по запросу.

Цена

По запросу

Для просмотра всех характеристик листайте влево

Длина волны/Модель	Выходная мощность	Рабочий ток	Рабочее напряжение	Пороговый ток	Подавление боковых мод	Сдвиг длины волны от тока	Сдвиг длины волны от температуры	Рабочая температура чипа	Рабочая температура корпуса	Температура хранения
760 - 830 нм	5 мВт	30 мА	3 В	5 - 30 мА	> 35 дБ	0.010 - 0.025 нм/мА	0.04 - 0.07 нм/К	+20 - +50 °C	-20 - +50 °C	-40 - +80 °C
830 - 920 нм	10 мВт	30 мА	3 В	15 - 30 мА	> 35 дБ	0.004 - 0.015 нм/мА	0.05 - 0.15 нм/К	+20 - +50 °C	-20 - +50 °C	-40 - +80 °C
920 - 1100 нм	20 мВт	50 мА	3 В	15 - 25 мА	> 35 дБ	0.01 - 0.025 нм/мА	0.07 - 0.15 нм/К	+20 - +50 °C	-20 - +50 °C	-40 - +80 °C
1100 - 1300 нм	20 мВт	70 мА	2 В	12 - 25 мА	> 35 дБ	0.007 - 0.02 нм/мА	0.07 - 0.1 нм/К	+20 - +50 °C	-20 - +50 °C	-40 - +80 °C
1300 - 1650 нм	5 мВт	70 мА	2 В	10 - 55 мА	> 35 дБ	0.01 - 0.03 нм/мА	0.07 - 0.14 нм/К	+20 - +50 °C	-20 - +50 °C	-40 - +80 °C
1650 - 1850 нм	5 мВт	70 мА	2 В	10 - 65 мА	> 35 дБ	0.008 - 0.03 нм/мА	0.07 - 0.14 нм/К	+20 - +50 °C	-20 - +50 °C	-40 - +80 °C
1850 - 2200 нм	3 мВт	100 мА	2 В	5 - 65 мА	> 35 дБ	0.01 - 0.05 нм/мА	0.16 - 0.23 нм/К	+20 - +50 °C	-20 - +50 °C	-40 - +80 °C
2200 - 2600 нм	3 мВт	100 мА	2.3 В	5 - 50 мА	> 35 дБ	0.01 - 0.05 нм/мА	0.18 - 0.25 нм/К	+20 - +50 °C	-20 - +50 °C	-40 - +80 °C
2600 - 2900 нм	2 мВт	100 мА	2.3 В	3 - 80 мА	> 35 дБ	0.01 - 0.05 нм/мА	0.15 - 0.28 нм/К	+20 - +50 °C	-20 - +50 °C	-40 - +80 °C
2800 - 4000 нм	10 мВт	120 мА	5 В	15 - 50 мА	> 35 дБ	0.10 нм/мА	0.35 нм/К	+10 - +50 °C	-20 - +50 °C	-30 - +70 °C
4000 - 4600 нм	0.1 мВт	120 мА	5 В	20 - 60 мА	> 35 дБ	0.12 нм/мА	0.45 нм/К	+10 - +50 °C	-20 - +50 °C	-30 - +70 °C
4600 - 5300 нм	3 мВт	120 мА	5 В	30 - 70 мА	> 35 дБ	0.14 нм/мА	0.48 нм/К	+10 - +50 °C	-20 - +50 °C	-30 - +70 °C
5300 - 5800 нм	1 мВт	120 мА	5 В	30 - 70 мА	> 35 дБ	0.15 нм/мА	0.5 нм/К	+5 - +50 °C	-20 - +45 °C	-30 - +70 °C
5800 - 6500 нм	1 мВт	120 мА	5 В	30 - 70 мА	> 35 дБ	0.15 нм/мА	0.5 нм/К	-10 - +50 °C	-20 - +40 °C	-30 - +70 °C
6000 - 11000 нм (непрерывный)	10 - 20 мВт	500 - 1500 мА	9 - 15 В	400 мА	> 35 дБ	0.05 - 0.15 нм/мА	0.7 нм/К	-10 - +45 °C	+10 - +30 °C	0 - +50 °C
6000 - 14000 нм (импульсный)	200 мВт	2000 - 5000 мА	15 - 20 В	1500 мА	35 дБ	0 - 0.15 нм/мА	0.7 нм/К	-	+10 - +30 °C	0 - +50 °C

Самые востребованные модели

Длина волны/Модель	Выходная мощность	Рабочий ток	Рабочее напряжение	Пороговый ток	Подавление боковых мод	Сдвиг длины волны от тока	Сдвиг длины волны от температуры	Рабочая температура чипа	Рабочая температура корпуса	Температура хранения
760.8 нм	6 мВт	30 мА	3 В	5 - 18 мА	> 35 дБ	0.010 - 0.025 нм/мА	0.045 - 0.060 нм/К	+20 - +40 °C	-20 - +55 °C	-40 - +80 °C
1278.8 нм	20 мВт	70 мА	2 В	12 - 25 мА	> 35 дБ	0.007 - 0.02 нм/мА	0.07 - 0.1 нм/К	+20 - +50 °C	-20 - +50 °C	-40 - +80 °C
1392.0 нм	8 мВт	70 мА	2 В	10 - 30 мА	> 35 дБ	0.01 - 0.03 нм/мА	0.07 - 0.14 нм/К	+20 - +50 °C	-20 - +50 °C	-40 - +80 °C
1512.2	8 мВт	70 мА	2 В	10 - 30 мА	> 35 дБ	0.008 - 0.02 нм/мА	0.07 - 0.14 нм/К	+20 - +50 °C	-20 - +50 °C	-40 - +80 °C
1560 - 1590 нм	8 мВт	70 мА	2 В	10 - 25 мА	> 35 дБ	0.008 - 0.020 нм/мА	0.08 - 0.13 нм/К	+20 - +45 °C	-20 - +55 °C	-40 - +80 °C
1651 и 1654 нм	8 мВт	70 мА	2 В	10 - 30 мА	> 35 дБ	0.008 - 0.015 нм/мА	0.10 - 0.14 нм/К	+20 - +45 °C	-20 - +55 °C	-40 - +80 °C
1742 нм	5 мВт	70 мА	2 В	10 - 30 мА	> 35 дБ	0.008 - 0.03 нм/мА	0.07 - 0.14 нм/К	+20 - +50 °C	-20 - +55 °C	-40 - +80 °C
1854 и 1877 нм	5 мВт	100 мА	2 В	8 - 32 мА	> 35 дБ	0.008 - 0.03 нм/мА	0.07 - 0.14 нм/К	+20 - +50 °C	-20 - +55 °C	-40 - +80 °C
2004 нм	5 мВт	100 мА	2 В	5 - 15 мА	> 35 дБ	0.019 - 0.035 нм/мА	0.18 - 0.21 нм/К	+20 - +45 °C	-20 - +55 °C	-40 - +80 °C
2330 и 2334 нм	6 мВт	100 мА	2.3 В	5 - 22 мА	> 35 дБ	0.022 - 0.07 нм/мА	0.19 - 0.23 нм/К	+20 - +45 °C	-20 - +55 °C	-40 - +80 °C
3240 и 3270 нм	15 мВт	120 мА	5 В	15 - 40 мА	> 35 дБ	0.10 нм/мА	0.35 нм/К	+15 - +40 °C	-20 - +55 °C	-30 - +70 °C
3345 и 3375 нм	15 мВт	120 мА	5 В	15 - 40 мА	> 35 дБ	0.10 нм/мА	0.35 нм/К	+15 - +40 °C	-20 - +55 °C	-30 - +70 °C
4524 и 4534 нм	8 мВт	120 мА	5 В	20 - 40 мА	> 35 дБ	0.12 нм/мА	0.45 нм/К	+15 - +40 °C	-20 - +55 °C	-30 - +70 °C
5184 и 5263 нм	6 мВт	120 мА	5 В	25 - 55 мА	> 35 дБ	0.14 нм/мА	0.48 нм/К	+15 - +40 °C	-20 - +55 °C	-30 - +70 °C