Innolume

Инновации, точность и надежность – вот, что делает Inolume ведущим производителем лазерных GaAs диодов с 2005 года.

Помимо высоконадежной технологии одномодовых волоконных соединений, особое внимание уделяется квантовым точкам и передовым чипам, производство которых превышает 10 млн. шт. в год. 

Многолетний опыт, технические ноу-хау и полностью вертикально интегрированное производство позволяет производить не только стандартные, но и индивидуальные изделия.

Собственные промышленные установки молекулярно-лучевой эпитаксии обеспечивают гибкость конструкции и выбор ряда материалов ((In,Al)GaAs(P,N)/GaAs). Структуры на квантовых ямах (In, Al) GaAs охватывают диапазон 780–1180 нм, тогда как запатентованная технология квантовых точек InAs расширяет диапазон длин волн излучения до 1350 нм.

Полностью собственная обработка подложек обеспечивает бесперебойное производство широкого спектра стандартных продуктов и быстрые циклы разработки индивидуальных решений.